#TITLE_ALTERNATIVE#
Pada tugas akhir ini, telah dihitung arus terobosan elektron dan hole pada struktur Si/Si0.5Ge0.5/Si npn HBT. Profil potensial dikembangkan mengunakan persamaan Gauss-Poisson. Profil potensial ini kemudian diaproksimasi untuk memudahkan perhitungan transmitansi elektron dan hole. Dari hasil transmit...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Final Project |
| Language: | Indonesia |
| Online Access: | https://digilib.itb.ac.id/gdl/view/12829 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Institution: | Institut Teknologi Bandung |
| Language: | Indonesia |