#TITLE_ALTERNATIVE#
Pada tugas akhir ini, telah dihitung arus terobosan elektron dan hole pada struktur Si/Si0.5Ge0.5/Si npn HBT. Profil potensial dikembangkan mengunakan persamaan Gauss-Poisson. Profil potensial ini kemudian diaproksimasi untuk memudahkan perhitungan transmitansi elektron dan hole. Dari hasil transmit...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Final Project |
| Language: | Indonesia |
| Online Access: | https://digilib.itb.ac.id/gdl/view/12829 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Institution: | Institut Teknologi Bandung |
| Language: | Indonesia |
| Summary: | Pada tugas akhir ini, telah dihitung arus terobosan elektron dan hole pada struktur Si/Si0.5Ge0.5/Si npn HBT. Profil potensial dikembangkan mengunakan persamaan Gauss-Poisson. Profil potensial ini kemudian diaproksimasi untuk memudahkan perhitungan transmitansi elektron dan hole. Dari hasil transmitansi tersebut kemudian dihitung arus terobosan elektron dan hole pada struktur ini. Telah ditunjukkan bahwa bahwa arus terobosan elektron lebih besar daripada arus terobosan hole. Tinggi potensial penghalang pada maing-masing transmitansi memberikan dampak yang cukup besar bagi arus terobosan, sementara itu kecepatan elektron berpengaruh kecil terhadap arus ini. Pengetahuan mengenai arus terobosan ini menjadi amat penting untuk memahami sifat yang dimiliki divais of Si/Si0.5Ge0.5/Si npn HBTseperti penguatan arus dan sebagainya. |
|---|