#TITLE_ALTERNATIVE#

#TITLE_ALTERNATIVE#

Pada tugas akhir ini, telah dihitung arus terobosan elektron dan hole pada struktur Si/Si0.5Ge0.5/Si npn HBT. Profil potensial dikembangkan mengunakan persamaan Gauss-Poisson. Profil potensial ini kemudian diaproksimasi untuk memudahkan perhitungan transmitansi elektron dan hole. Dari hasil transmit...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: ISWANTO (NIM 10205033); Pembimbing: Dr. Eng. Khairurrijal dan Dr. Eng. Mikrajuddin Abdullah, ADY
Format: Final Project
Language:Indonesia
Online Access:https://digilib.itb.ac.id/gdl/view/12829
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Institution: Institut Teknologi Bandung
Language: Indonesia
id id-itb.:12829
spelling id-itb.:128292017-09-27T11:45:14Z#TITLE_ALTERNATIVE# ISWANTO (NIM 10205033); Pembimbing: Dr. Eng. Khairurrijal dan Dr. Eng. Mikrajuddin Abdullah, ADY Indonesia Final Project INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG https://digilib.itb.ac.id/gdl/view/12829 Pada tugas akhir ini, telah dihitung arus terobosan elektron dan hole pada struktur Si/Si0.5Ge0.5/Si npn HBT. Profil potensial dikembangkan mengunakan persamaan Gauss-Poisson. Profil potensial ini kemudian diaproksimasi untuk memudahkan perhitungan transmitansi elektron dan hole. Dari hasil transmitansi tersebut kemudian dihitung arus terobosan elektron dan hole pada struktur ini. Telah ditunjukkan bahwa bahwa arus terobosan elektron lebih besar daripada arus terobosan hole. Tinggi potensial penghalang pada maing-masing transmitansi memberikan dampak yang cukup besar bagi arus terobosan, sementara itu kecepatan elektron berpengaruh kecil terhadap arus ini. Pengetahuan mengenai arus terobosan ini menjadi amat penting untuk memahami sifat yang dimiliki divais of Si/Si0.5Ge0.5/Si npn HBTseperti penguatan arus dan sebagainya. text
institution Institut Teknologi Bandung
building Institut Teknologi Bandung Library
continent Asia
country Indonesia
Indonesia
content_provider Institut Teknologi Bandung
collection Digital ITB
language Indonesia
description Pada tugas akhir ini, telah dihitung arus terobosan elektron dan hole pada struktur Si/Si0.5Ge0.5/Si npn HBT. Profil potensial dikembangkan mengunakan persamaan Gauss-Poisson. Profil potensial ini kemudian diaproksimasi untuk memudahkan perhitungan transmitansi elektron dan hole. Dari hasil transmitansi tersebut kemudian dihitung arus terobosan elektron dan hole pada struktur ini. Telah ditunjukkan bahwa bahwa arus terobosan elektron lebih besar daripada arus terobosan hole. Tinggi potensial penghalang pada maing-masing transmitansi memberikan dampak yang cukup besar bagi arus terobosan, sementara itu kecepatan elektron berpengaruh kecil terhadap arus ini. Pengetahuan mengenai arus terobosan ini menjadi amat penting untuk memahami sifat yang dimiliki divais of Si/Si0.5Ge0.5/Si npn HBTseperti penguatan arus dan sebagainya.
format Final Project
author ISWANTO (NIM 10205033); Pembimbing: Dr. Eng. Khairurrijal dan Dr. Eng. Mikrajuddin Abdullah, ADY
spellingShingle ISWANTO (NIM 10205033); Pembimbing: Dr. Eng. Khairurrijal dan Dr. Eng. Mikrajuddin Abdullah, ADY
#TITLE_ALTERNATIVE#
author_facet ISWANTO (NIM 10205033); Pembimbing: Dr. Eng. Khairurrijal dan Dr. Eng. Mikrajuddin Abdullah, ADY
author_sort ISWANTO (NIM 10205033); Pembimbing: Dr. Eng. Khairurrijal dan Dr. Eng. Mikrajuddin Abdullah, ADY
title #TITLE_ALTERNATIVE#
title_short #TITLE_ALTERNATIVE#
title_full #TITLE_ALTERNATIVE#
title_fullStr #TITLE_ALTERNATIVE#
title_full_unstemmed #TITLE_ALTERNATIVE#
title_sort #title_alternative#
url https://digilib.itb.ac.id/gdl/view/12829
_version_ 1820728635483488256

Similar Items