#TITLE_ALTERNATIVE#

Pada tugas akhir ini, telah dihitung arus terobosan elektron dan hole pada struktur Si/Si0.5Ge0.5/Si npn HBT. Profil potensial dikembangkan mengunakan persamaan Gauss-Poisson. Profil potensial ini kemudian diaproksimasi untuk memudahkan perhitungan transmitansi elektron dan hole. Dari hasil transmit...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: ISWANTO (NIM 10205033); Pembimbing: Dr. Eng. Khairurrijal dan Dr. Eng. Mikrajuddin Abdullah, ADY
Format: Final Project
Language:Indonesia
Online Access:https://digilib.itb.ac.id/gdl/view/12829
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Institution: Institut Teknologi Bandung
Language: Indonesia

Similar Items