#TITLE_ALTERNATIVE#
Pada tugas akhir ini, telah dihitung arus terobosan elektron dan hole pada struktur Si/Si0.5Ge0.5/Si npn HBT. Profil potensial dikembangkan mengunakan persamaan Gauss-Poisson. Profil potensial ini kemudian diaproksimasi untuk memudahkan perhitungan transmitansi elektron dan hole. Dari hasil transmit...
Saved in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 格式: | Final Project |
| 語言: | Indonesia |
| 在線閱讀: | https://digilib.itb.ac.id/gdl/view/12829 |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|