#TITLE_ALTERNATIVE#
Pada tugas akhir ini, telah dihitung arus terobosan elektron dan hole pada struktur Si/Si0.5Ge0.5/Si npn HBT. Profil potensial dikembangkan mengunakan persamaan Gauss-Poisson. Profil potensial ini kemudian diaproksimasi untuk memudahkan perhitungan transmitansi elektron dan hole. Dari hasil transmit...
Saved in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 格式: | Final Project |
| 語言: | Indonesia |
| 在線閱讀: | https://digilib.itb.ac.id/gdl/view/12829 |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
| 機構: | Institut Teknologi Bandung |
| 語言: | Indonesia |
| 總結: | Pada tugas akhir ini, telah dihitung arus terobosan elektron dan hole pada struktur Si/Si0.5Ge0.5/Si npn HBT. Profil potensial dikembangkan mengunakan persamaan Gauss-Poisson. Profil potensial ini kemudian diaproksimasi untuk memudahkan perhitungan transmitansi elektron dan hole. Dari hasil transmitansi tersebut kemudian dihitung arus terobosan elektron dan hole pada struktur ini. Telah ditunjukkan bahwa bahwa arus terobosan elektron lebih besar daripada arus terobosan hole. Tinggi potensial penghalang pada maing-masing transmitansi memberikan dampak yang cukup besar bagi arus terobosan, sementara itu kecepatan elektron berpengaruh kecil terhadap arus ini. Pengetahuan mengenai arus terobosan ini menjadi amat penting untuk memahami sifat yang dimiliki divais of Si/Si0.5Ge0.5/Si npn HBTseperti penguatan arus dan sebagainya. |
|---|