A new method for separation of randow noise from capacitance signal in dlts measurement
p. 32-39
Saved in:
Main Authors: | Hoang, Nam Nhat, Pham, Quoc Trieu |
---|---|
Format: | Article |
Language: | English |
Published: |
H. : ĐHQGHN
2017
|
Subjects: | |
Online Access: | http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/58437 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Institution: | Vietnam National University, Hanoi |
Language: | English |
Similar Items
-
On several correlation integrals of the deep level transients
by: Hoang, Nam Nhat, et al.
Published: (2017) -
Identification of deep levels in π-GaN epilayers
by: Soh, C.B., et al.
Published: (2014) -
DLTS characterisation of InGaAlP films grown using different V/III ratios
by: Lim, H.F., et al.
Published: (2014) -
Extraction of channel length in 0.1 μm NMOSFET by gate to drain capacitance
by: Ling, C.H., et al.
Published: (2014) -
Một số kết quả nghiên cứu ảnh hưởng của chiếu sáng đèn phổ ĐLTS của Silic loại - n chiếu xạ Nơtron với liều lượng cao (phương pháp phổ ĐLTS) : Luận án TS Vật lý
by: Phùng, Văn Thớm
Published: (2017)