Electrical transport properties of PbSn1-xTe thin films and Pb1-xSnxTe bulk samples
PbxSn1-xTe thin films deposited by vapor technique and Pb1-xSnxTe bulk samples grown by horizontal unseeded vapor phased growth (HUGV) were characterized through its electronic transport properties. These include resistivity and Hall measurements varied from a temperature of 77K-373K and from 77K-30...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Almanzor, Melissa Q., Ong, Ma. Carmellia G. |
---|---|
التنسيق: | text |
اللغة: | English |
منشور في: |
Animo Repository
1996
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://animorepository.dlsu.edu.ph/etd_bachelors/4158 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
High figure of merit in Gallium-doped nanostructured n-type PbTe-xGeTe with midgap states
بواسطة: Luo, Zhong-Zhen, وآخرون
منشور في: (2022) -
Fabrication of Pbx+Sn1-xTe thin films using vapor deposition
بواسطة: Lim, Jose Renato G., وآخرون
منشور في: (1996) -
Thermoelectric properties of monolayer and bilayer buckled XTe (X = Ge, Sn, and Pb)
بواسطة: Lubis, P., وآخرون
منشور في: (2022) -
Relating local structure to thermoelectric properties in Pb1-xGexBi2Te4
بواسطة: Dong, Jinfeng, وآخرون
منشور في: (2025) -
Exchange bias effect of Ge 1-xMn xTe with antiferromagnetic MnTe and MnO materials
بواسطة: Lim, S.T., وآخرون
منشور في: (2014)