Impact of Lanthanum on positive-bias temperature instability - insight from first-principles simulation
The impact of lanthanum (La) on positive-bias temperature instability (PBTI) is examined via first-principles simulation of the electronic properties of the oxygen vacancy (VO) and vacancy-interstitial (VO-Oi) paired defects in the hafnium dioxide (HfO2) gate dielectric. The purpose is to understand...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2014
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/101387 http://hdl.handle.net/10220/18410 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |