Annealing effect on the optical properties of implanted silicon in a silicon nitride matrix

Optical properties of implanted Si in a silicon nitride thin film have been determined with spectroscopic ellipsometry based on the Tauc–Lorentz (TL) model and the Bruggeman effective medium approximation. It is shown that the suppressed dielectric functions of the implanted Si are dominated by the...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Fung, Stevenson Hon Yuen, Liu, Yang, Yang, Ming, Wong, Jen It, Liu, Yu Chan, Liu, Zhen, Cen, Zhan Hong, Chen, Tupei, Ding, Liang
مؤلفون آخرون: School of Electrical and Electronic Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2010
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/101981
http://hdl.handle.net/10220/6400
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English