Multifingers capacitances modeling of 65-Nm CMOS transistor by unit cell method

The multifingers' parasitic capacitances modeling of 65-nm CMOS transistors for millimeter-wave application is presented. The modeling is based on simulation approach, which is done by building the devices true dimension in high-frequency structure simulator environment. The material properties...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Agung, Alit Apriyana Anak, Zhang, Yue Ping
مؤلفون آخرون: School of Electrical and Electronic Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2013
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/102842
http://hdl.handle.net/10220/16915
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English