Enhanced tunneling magnetoresistance effect via ferroelectric control of interface electronic/magnetic reconstructions
Magnetic tunnel junctions (MTJs) with tunable tunneling magnetoresistances (TMR) have already been proven to have great potential for spintronics. Especially, when ferroelectric materials are used as insulating barriers, more novel functions of MTJs can be realized due to interface magnetoelectric c...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2022
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/162301 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|