In situ electrical characteristics and defect dynamics induced by swift heavy ion irradiation in Pt/PtOₓ/β-Ga₂O₃vertical Schottky barrier diodes
In situ I – V and C – V measurements were performed on Pt/PtOx/ β -Ga2O3 vertical Schottky barrier diodes (SBD) during 120 MeV Au9+ swift heavy ion (SHI) irradiation in a fluence range of 1×1010 – 2×1012 ions/cm2. The reverse leakage current density increased from 1.21×10−10 to 1.69×10−4 A/cm2 at −1...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2022
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/163770 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|