Delay sensitivity analysis of scaled BiCMOS/CMOS/ECL circuits

The speed sensitivity of the BiCMOS, CMOS and ECL inverter circuits to changes in the key MOS/BJT device parameters is analyzed. The study of BiCMOS circuit takes into account the changes in the forward transit time, the knee current, the collector resistance, the base resistance, and the current ga...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Sin, You Seng.
مؤلفون آخرون: Yeo, Kiat Seng
التنسيق: Theses and Dissertations
اللغة:English
منشور في: 2009
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://hdl.handle.net/10356/19686
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!