Resolving p-type transistor drain saturation current (IDsat) off-target issue for 0.3um logic device

Transistor optimization is required for good device performance especially on those devices with off-center electrical se (ET) specifications. In this thesis, the author explores various possible options to bring a particular 0.3?m device Logic Dual gate oxide PMOS transistor IDsat to electrical tes...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Tan, Ai Kiam
مؤلفون آخرون: Zhang, Dao Hua
التنسيق: Theses and Dissertations
منشور في: 2008
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://hdl.handle.net/10356/3325
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!