Growth and characterization of GaAs-based III-V-N material for p-i-n photodectectors using antimony as a surfactant

169 p.

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書目詳細資料
主要作者: Cheah, Weng Kwong
其他作者: Fan Weijun
格式: Theses and Dissertations
出版: 2011
主題:
在線閱讀:https://hdl.handle.net/10356/46872
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機構: Nanyang Technological University