Fabrication and characterization of two-terminal graphene resistive memories
In the recent years, graphene-based atomic switches joined the non-volatile memory race. Many teams reported graphene-based or graphite-based switches atomic switches. The breakdown phenomenon of graphene nano-ribbons or graphene sheets were also studied by many groups to analyse the carbon-based in...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Yi, Xiang |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Tay Beng Kang |
التنسيق: | Final Year Project |
اللغة: | English |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/60386 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Tuning the Kapitza resistance in pillared-graphene nanostructures
بواسطة: Loh, G. C., وآخرون
منشور في: (2013) -
Fabrication and characterization of plasmonic structures
بواسطة: Du, Jiachen
منشور في: (2020) -
Design, fabrication and characterization of a tunnel FET
بواسطة: Chen, Zhixian.
منشور في: (2009) -
Zinc oxide based nanostructures : fabrication, characterization and applications
بواسطة: Yang, Hui Ying
منشور في: (2011) -
Resistive and breakdown study of two-terminal graphene-based memory devices
بواسطة: Fairus Sholihin Abu Bakar
منشور في: (2015)