Evolution of hole trapping in the oxynitride gate p-MOSFET subjected to negative-bias temperature stressing
We present experimental evidence of a thermally activated transformation of negative-bias-temperature-stress-induced transient hole trapping at preexisting oxide traps into more permanent trapped holes in the ultrathin oxynitride gate p-MOSFET. The transformation is also shown to correlate with the...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/85060 http://hdl.handle.net/10220/13459 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
كن أول من يترك تعليقا!