Evolution of hole trapping in the oxynitride gate p-MOSFET subjected to negative-bias temperature stressing

We present experimental evidence of a thermally activated transformation of negative-bias-temperature-stress-induced transient hole trapping at preexisting oxide traps into more permanent trapped holes in the ultrathin oxynitride gate p-MOSFET. The transformation is also shown to correlate with the...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Boo, A. A., Ang, Diing Shenp
مؤلفون آخرون: School of Electrical and Electronic Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2013
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/85060
http://hdl.handle.net/10220/13459
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English