Enhancement of thermal robustness in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
Spin transfer torque magnetoresistive random access memory (STT-MRAM) has been recognized to be the most promising non-volatile memory technology for future technology nodes. STT-MRAM utilizes an array of magnetic tunnel junctions (MTJ) as its storage elements, which in its rudimentary form consi...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Theses and Dissertations |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2019
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/85158 http://hdl.handle.net/10220/50350 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |