Electret mechanism, hysteresis, and ambient performance of sol-gel silica gate dielectrics in pentacene field-effect transistors

The electret induced hysteresis was studied in sol-gel silica films that result in higher drain currents and improved device performance in pentacene field-effect transistors. Vacuum and ambient condition studies of the hysteresis behavior and capacitance-voltage characteristics on si...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Cahyadi, Tommy, Tan, H. S., Mhaisalkar, Subodh Gautam, Lee, Pooi See, Boey, Freddy Yin Chiang, Chen, Z. K., Ng, C. M., Rao, V. R., Qi, Guojun
مؤلفون آخرون: School of Materials Science & Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2012
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/98488
http://hdl.handle.net/10220/8063
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English