Electret mechanism, hysteresis, and ambient performance of sol-gel silica gate dielectrics in pentacene field-effect transistors
The electret induced hysteresis was studied in sol-gel silica films that result in higher drain currents and improved device performance in pentacene field-effect transistors. Vacuum and ambient condition studies of the hysteresis behavior and capacitance-voltage characteristics on si...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , , |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2012
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/98488 http://hdl.handle.net/10220/8063 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |