Effects of aluminum on the properties of p-type Cu-Al-O transparent oxide semiconductor prepared by reactive co-sputtering
10.1016/S0040-6090(03)01175-1
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Ong, C.H., Gong, H. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | MATERIALS SCIENCE |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/107268 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Effects of Cu:Al ratios and SiO2 substrates on PE-MOCVD copper aluminium oxide semiconductor thin films
بواسطة: CAI JIANLING
منشور في: (2010) -
P-type transparent conducting CU-AL-O thin films prepared by PE-MOCVD
بواسطة: WANG YUE
منشور في: (2011) -
A study of transparent P-type semiconducting oxide Cu-Al-O
بواسطة: ONG CHIN HOCK
منشور في: (2011) -
Optical and electrical properties of p-type transparent conducting Cu-Al-O thin films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition
بواسطة: Wang, Y., وآخرون
منشور في: (2014) -
Preparation of transparent conducting Zno:Al films on glass substrates by r.f magnetron sputtering
بواسطة: Nguyen, Duy Phuong, وآخرون
منشور في: (2017)