Effect of oxide field on hot carrier induced degradation in CMOS gate oxide

• المؤلفون الرئيسيون: Zhao, S.P., Taylor, S.
• مؤلفون آخرون: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/112976
• المؤسسة: National University of Singapore

Proceedings of the International Symposium on the Physical 7 Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA