Low-temperature surface passivation of moderately doped crystalline silicon by atomic-layer-deposited hafnium oxide films

10.1149/2.026301jss

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Lin, F., Hoex, B., Koh, Y.H., Lin, J., Aberle, A.G.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/113260
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore