Performance enhancement in Ge pMOSFETs with orientation fabricated with a Si-compatible process flow

• المؤلفون الرئيسيون: Dutta Gupta, S., Mitard, J., Eneman, G., De Jaeger, B., Meuris, M., Heyns, M.M.
• مؤلفون آخرون: SOLAR ENERGY RESEARCH INST OF S'PORE
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2016
• الموضوعات: Channel-orientation; Enhanced mobility; Germanium (Ge); pFET devices
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/128740

10.1016/j.mee.2010.01.010