Study of Laterally Stacked Nanostructures Using an Organic Semiconducting Channel Fabricated by Trench Isolation Technique

Study of Laterally Stacked Nanostructures Using an Organic Semiconducting Channel Fabricated by Trench Isolation Technique

10.1109/tnano.2020.2994640

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Ghosh, Joydeep, Salvan, Georgeta, Reuter, Danny
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 2020
الوصول للمادة أونلاين:https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/173158
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore

الانترنت

https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/173158

مواد مشابهة