Study of Laterally Stacked Nanostructures Using an Organic Semiconducting Channel Fabricated by Trench Isolation Technique
10.1109/tnano.2020.2994640
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Ghosh, Joydeep, Salvan, Georgeta, Reuter, Danny |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
2020
|
الوصول للمادة أونلاين: | https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/173158 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Method to form narrow and wide shallow trench isolations with different trench depths to eliminate isolation oxide dishing
بواسطة: CHAN, LAP, وآخرون
منشور في: (2012) -
Earthquake risk on the Sunda trench
بواسطة: Nalbant, Suleyman S., وآخرون
منشور في: (2012) -
Micro-trench experiments on interflow and lateral pesticide transport in a sloped soil in Northern Thailand
بواسطة: G. Kahl, وآخرون
منشور في: (2018) -
Realization of trenched SOI structure using wafer bonding technique
بواسطة: Teo, Kim Poh.
منشور في: (2008) -
Method to form shallow trench isolation structures for borderless contacts in an integrated circuit
بواسطة: GOH, KENNY HUA KOOI, وآخرون
منشور في: (2012)