Study on trapping effects in AlGaN/GaN-on-Si devices with vertical interconnect structures
10.1149/2.0131711jss
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Editorial |
| منشور في: |
Electrochemical Society
2020
|
| الوصول للمادة أونلاين: | https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/183553 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|