Can interface charge enhance selectivity in tunnel layer passivated contacts? Using negatively charged aluminium oxide capped with dopant free PEDOT or boron doped polysilicon
10.1016/j.solmat.2020.110857
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| منشور في: |
Elsevier BV
2020
|
| الوصول للمادة أونلاين: | https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/184480 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | National University of Singapore |