Top-Gate Short Channel Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin Film Transistors with Sub-1.2 nm Equivalent Oxide Thickness

• المؤلفون الرئيسيون: Han, Kaizhen, Samanta, Subhranu, Sun, Chen, Gong, Xiao
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 2022
• الموضوعات: IGZO; short channel devices; thin film transistors
• الوصول للمادة أونلاين: https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/232154

10.1109/jeds.2021.3116763