A new insight into the degradation behavior of the LDD N-MOSFET during dynamic hot-carrier stressing

10.1109/55.962661

Saved in:
書目詳細資料
主要作者: Ang, D.S.
其他作者: BACHELOR OF TECHNOLOGY PROGRAMME
格式: Article
出版: 2014
主題:
在線閱讀:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/54518
標簽: 添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
機構: National University of Singapore