MOCVD growth of GaInNAs/GaAs multiple quantum wells with nitrogen composition fluctuation

10.1016/S0022-0248(02)01304-0

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Zhou, W., Chua, S.J., Dong, J.R., Teng, J.H.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	A1. Localization and activation energy A1. Photoluminescence A2. Metalorganic chemical vapor deposition A3. Quantum wells
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/56651
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة