Pulsed laser annealing of ultra-shallow junctions in silicon-germanium

• المؤلفون الرئيسيون: Tan, L.S., Tan, J.Y., Begum, A., Hong, M.H., Du, A.Y., Bhat, M., Wang, X.C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الموضوعات: end-of-range defects; Pulsed laser annealing; ultra-shallow junction
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/71526

10.1142/S0219581X10006922