RF Passive Devices on Si with Excellent Performance Close to Ideal Devices Designed by Electro-Magnetic Simulation
Technical Digest - International Electron Devices Meeting
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Chin, A., Chan, K.T., Huang, C.H., Chen, C., Liang, V., Chen, J.K., Chien, S.C., Sun, S.W., Duh, D.S., Lin, W.J., Zhu, C., Li, M.F., McAlister, S.P., Kwong, D.-L. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/71642 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
High performance metal-gate/high-κ MOSFETs and GaAs compatible RF passive devices on Ge-on-insulator technology
بواسطة: Chin, A., وآخرون
منشور في: (2014) -
RF modelling of semiconductor devices
بواسطة: Ma, Jian-Guo, وآخرون
منشور في: (2008) -
RF testing of QPSK device
بواسطة: Chan, Siew Meng.
منشور في: (2008) -
A tunable and program-erasable capacitor on Si with excellent tuning memory
بواسطة: Lai, C.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Three-dimensional metal gate-high-Κ-GOI CMOSFETs on 1-poly-6-metal 0.18-μm Si devices
بواسطة: Yu, D.S., وآخرون
منشور في: (2014)