MOCVD growth and characterization of GaN films with composite intermediate layer buffer on Si substrate

10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:13.0.CO;2-Q

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Zhang, X., Chua, S.J., Feng, Z.C., Chen, J., Lin, J.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/80730
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة