MOCVD growth and characterization of GaN films with composite intermediate layer buffer on Si substrate
10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:13.0.CO;2-Q
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| 格式: | Article |
| 出版: |
2014
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| 在線閱讀: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/80730 |
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| 機構: | National University of Singapore |