AlGaN/GaN high electron mobility transistors with implanted ohmic contacts

10.1016/j.tsf.2006.07.133

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Wang, H.T., Tan, L.S., Chor, E.F.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81943
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!