Contact resistance reduction for strained N-MOSFETs with silicon-carbon source/drain utilizing aluminum ion implant and aluminum profile engineering
10.1109/TED.2013.2248367
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| 格式: | Article |
| 出版: |
2014
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| 在線閱讀: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82085 |
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| 機構: | National University of Singapore |