Contact resistance reduction for strained N-MOSFETs with silicon-carbon source/drain utilizing aluminum ion implant and aluminum profile engineering

• المؤلفون الرئيسيون: Zhou, Q., Koh, S.-M., Thanigaivelan, T., Henry, T., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Aluminum; contact resistance; ion implant; Schottky barrier; silicon carbon; single-metal-silicide
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82085

10.1109/TED.2013.2248367