Fully silicided NiSi:Hf-LaAlO3/SG-GOI n-MOSFETs with high electron mobility

• المؤلفون الرئيسيون: Yu, D.S., Chiang, K.C., Cheng, C.F., Chin, A., Zhu, C., Li, M.F., Kwong, D.-L.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82392
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1109/LED.2004.832527