Hot-electron capture for CHEI programming in SONOS-type flash memory using high- κ trapping layer

• المؤلفون الرئيسيون: Zhang, G., Yoo, W.J., Ling, C.-H.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Channel hot-electron injection (CHEI); High-κ; Hot-electron capture; Polysilicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) Flash memory
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82476

10.1109/TED.2008.922854