Improvement of Electrical Properties of MOCVD HfO2 by Multistep Deposition

10.1149/1.1618071

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Yeo, C.C., Cho, B.J., Joo, M.S., Whoang, S.J., Kwong, D.L., Bera, L.K., Mathew, S., Balasubramanian, N.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82508
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة