Charge trapping and TDDB characteristics of ultrathin MOCVD HfO2 gate dielectric on nitrided germanium

• المؤلفون الرئيسيون: Bai, W., Kwong, D.-L.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Ammonia treatment; Germanium; Hafnium oxide; High-κ dielectric; MOS; Reliability; Time-dependent dielectric breakdown (TDDB)
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82050
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1109/LED.2007.894654