Interface traps at high doping drain extension region in sub-0.25-μm MOSTs

10.1109/55.919239

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書目詳細資料
Main Authors: Chen, G., Li, M.F., Yu, X.
其他作者: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
格式: Article
出版: 2014
主題:
在線閱讀:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82558
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機構: National University of Singapore