Latent damage generation in thin oxides of metal-oxide-semiconductor devices under high-field impulse stress and damage characterization using low-frequency noise measurement
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| منشور في: |
2014
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82611 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | National University of Singapore |