Nickel-silicide contact technology with dual near-band-edge barrier heights and integration in CMOS FinFETs with single mask

• المؤلفون الرئيسيون: Sinha, M., Chor, E.F., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Aluminum (Al) implant; contact resistance; double-species implant; FinFETs; nickel silicide (NiSi); Schottky barrier height; sulfur (S) implant
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82762

10.1109/LED.2010.2052586