Platinum germanosilicide as source/drain contacts in P-channel fin field-effect transistors (FinFETs)

10.1109/TED.2009.2021351

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書目詳細資料
Main Authors: Lee, R.T.P., Chi, D.Z., Yeo, Y.-C.
其他作者: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
格式: Article
出版: 2014
主題:
在線閱讀:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82918
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