Structural and morphological qualities of InGaN grown via elevated pressures in MOCVD on AlN/Si(111) substrates

10.1016/j.jcrysgro.2013.08.016

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Ho, J.W., Zhang, L., Wee, Q., Tay, A.A.O., Heuken, M., Chua, S.-J.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	A1. AlN A1. InGaN A1. Suppression of phase separation A3. Metal organic chemical vapour deposition B2. Semiconducting III-V materials
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83094
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة