Ultra high-stress liner comprising diamond-like carbon for performance enhancement of p-channel multiple-gate transistors

• المؤلفون الرئيسيون: Tan, K.-M., Yang, M., Liow, T.-Y., Lee, R.T.P., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Contact etch stop layer (CESL); Diamond-like carbon (DLC); FinFET; Multiple-gate; Strain
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83239

10.1109/TED.2009.2019388