Vertical Si-Nanowire n-type tunneling FETs with low subthreshold swing ≤50 mV/decade) at room temperature

• المؤلفون الرئيسيون: Gandhi, R., Chen, Z., Singh, N., Banerjee, K., Lee, S.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: CMOS technology; gate-all-around (GAA); subthreshold swing (SS); top-down; tunneling field-effect transistor (TFET); vertical silicon nanowire (NW) (SiNW)
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83258
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1109/LED.2011.2106757