AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors with a high breakdown voltage of 1400 v and a complementary metal-oxide- semiconductor compatible gold-free process

• المؤلفون الرئيسيون: Liu, X., Zhan, C., Wai Chan, K., Samuel Owen, M.H., Liu, W., Chi, D.Z., Tan, L.S., Chen, K.J., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83449
• المؤسسة: National University of Singapore

10.7567/JJAP.52.04CF06